| 发明名称 | 具有光学耦合层的集成电路器件 | ||
| 摘要 | 描述了在包括集成电路层的垂直布置的集成电路器件(102)中，在其第一集成电路层(104)和第二集成电路层(106)之间耦合光信号(S1)。所述光信号(S1)在第一集成电路层(104)内在光子晶体缺陷波导(110)和光子晶体缺陷腔(112)之间瞬间耦合，并在第二集成电路层(106)上、在光子晶体缺陷腔(112)和光学孔径(116)之间进行投影式耦合。 | ||
| 申请公布号 | CN101203783A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200680022355.4 | 申请日期 | 2006.06.21 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | S·M·斯皮莱恩;R·G·博索莱尔 |
| 分类号 | G02B6/122(2006.01);G02B6/43(2006.01) | 主分类号 | G02B6/122(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种用于在包括集成电路层的垂直布置的集成电路器件(102)中，在其第一集成电路层(104)和第二集成电路层(106)之间耦合光信号(S1)的方法，包括：在第一集成电路层(104)内在光子晶体缺陷波导(110)和光子晶体缺陷腔(112)之间瞬间耦合光信号(S1)；和在第二集成电路层(106)上，在所述光子晶体缺陷腔(112)和光学孔径(116)之间投影式耦合光信号(S1)。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||