| 发明名称 | 栅极氧化层制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅极氧化层制作方法，包括以下步骤：第一步，在二氧化硅层上铺垫一层多晶硅；第二步，打开多晶硅刻蚀区域；第三步，进行多晶硅刻蚀的过刻，在多晶硅和二氧化硅分界面形成向内缺口；第四步，多晶硅再氧化，在第三步中形成的缺口处形成二氧化硅；第五步，形成栅极氧化层。本发明通过增加器件的漏端栅氧厚度，能够控制热载流子注入效应的发生，减缓热载流子注入效应对器件性能的不良影响，从而改善器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101202220A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610119560.4 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈晓波 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种栅极氧化层制作方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在二氧化硅层上铺垫一层多晶硅；第二步，打开多晶硅刻蚀区域；第三步，进行多晶硅刻蚀的过刻，在多晶硅和二氧化硅分界面形成向内缺口；第四步，多晶硅再氧化，在第三步中形成的缺口处形成二氧化硅；第五步，刻蚀去除覆盖在多晶硅上的氧化层，在沟道与多晶硅之间形成形成栅极氧化层。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||