| 发明名称 | 清洗厚膜光刻胶的清洗剂 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种清洗厚膜光刻胶的清洗剂。这种光刻胶清洗剂含有二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。本发明的清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101201557A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200610147346.X | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 彭洪修;史永涛;刘兵;曾浩 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01);G03F7/32(2006.01);G03F7/26(2006.01) | 主分类号 | G03F7/42(2006.01) |
| 代理机构 | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1.一种清洗厚膜光刻胶的清洗剂，其特征在于含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613－618室 | ||