形成CMOS晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种在一基板上形成一CMOS晶体管的方法，其中仅需两道植入步骤，即可形成所有源极与漏极与轻掺杂，首先，是形成一NMOS晶体管的源极与漏极，其利用一遮盖PMOS晶体管的源极与漏极的光刻胶层为屏蔽，并植入一磷掺质；接着形成一NMOS晶体管的轻掺杂与一PMOS晶体管的源极与漏极，其利用遮盖NMOS晶体管的源极与漏极的光刻胶层与栅极为屏蔽，并植入一硼掺质，其中，硼掺质的剂量小于磷掺质的剂量。

主权项

1.一种在一基板上形成第一型晶体管与第二型晶体管的方法，其中该第一型晶体管具有一轻掺杂区域与第一重掺杂区域，该第二型晶体管具有第二重掺杂区域，该方法至少包括：形成第一多晶硅层与第二多晶硅层于该基板上，其中该第一多晶硅层与该第二多晶硅层对应于该第一型晶体管与该第二型晶体管；沉积栅极氧化层于该第一多晶硅层与该第二多晶硅层上；形成第一栅极与第二栅极于该栅极氧化层上，并分别位于该第一多晶硅层与该第二多晶硅层的上方，该第一栅极两端设置有该轻掺杂区域与该第一重掺杂区域，而该第二栅极两端设置有该第二重掺杂区域；形成第一型晶体管的第一重掺杂于该第一型晶体管的第一重掺杂区域中，其是利用一遮盖该第二重掺杂区域的光刻胶层与该第一栅极为屏蔽，并植入一第一掺质而形成；以及形成第一型晶体管的轻掺杂与第二型晶体管的第二重掺杂分别于该第一型晶体管的轻掺杂区域与该第二型晶体管的第二重掺杂区域中，其是利用遮盖该第一型晶体管的第一重掺杂区域的光刻胶层与该第一栅极和第二栅极为屏蔽，并植入第二掺质而形成，该第二掺质的剂量是小于该第一掺质的剂量。