| 发明名称 | 修改布局以消除由线材料收缩引起的线弯曲 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置和一种用于制造具有减少的线弯曲的半导体装置的方法。所述方法可包含形成第一层并在所述第一层上沉积光致抗蚀剂层。可将所述光致抗蚀剂层图案化，使得所述图案化包括邻近于隅角特征(250)的外侧设置的至少一个支撑特征(271)。 | ||
| 申请公布号 | CN101203951A | 申请公布日期 | 2008.06.18 |
| 申请号 | CN200680022124.3 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 弗拉迪米尔·阿莱克谢耶维奇·乌克兰采夫;马克·E·梅森;詹姆斯·沃尔特·布拉奇福德;布赖恩·阿什利·史密斯;布赖恩·爱德华·霍尔农;德克·诺埃尔·安德森 |
| 分类号 | H01L21/461(2006.01);H01L21/302(2006.01) | 主分类号 | H01L21/461(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种用于制造具有减少的线弯曲的半导体装置的方法，其包括：形成第一层；在所述第一层上沉积光致抗蚀剂层；以及将所述光致抗蚀剂层图案化，其中所述图案化包括邻近于隅角特征的外侧设置的至少一个支撑特征。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||