发明名称 半导体晶片端子
摘要 一种半导体晶片端子,系由一半导体晶片透过焊锡固设于一平台,该半导体晶片的背部焊固一导电元件,此导电元件包括一基部、一根部、一缓冲部及一延伸部,其中该半导体晶片、基部及根部系由一环氧树脂层所包围,以避免受应力、水气及空气氧化短路影响而导致该半导体晶片破裂与该导电元件弯曲变形,另外上述之平台设置于一端子内,且该平台周围环绕一内缩墙用以局限上述之环氧树脂层遇热膨胀后范围,又于该端子外墙设有复数个图纹,而该图纹与该内缩墙间设一卸压槽以阻隔外力之冲击。
申请公布号 TWI256705 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW094129798 申请日期 2005.08.31
申请人 嵩熔精密工业股份有限公司 发明人 黄文火
分类号 H01L23/00 主分类号 H01L23/00
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路1段23号10楼之1
主权项 1.一种半导体晶片端子,其包括有: 一半导体晶片,该半导体晶片系透过焊锡固设于一 平台; 一导电元件,该导电元件包括一基部,该基部焊固 在上述之半导体晶片的背部,其中自该基部向上延 伸一根部,该根部之一端相连有一缓冲部,该缓冲 部向上延伸一延伸部; 一环氧树脂层,系包围上述之半导体晶片、基部及 根部; 一端子,该端子外墙设有复数图纹,该端子内部设 置上述之平台,该平台周围环绕一内缩墙,且于该 图纹与该内缩墙间设有一卸压槽,该内缩墙用以局 限上述之环氧树脂层遇热膨胀后的范围。 2.如申请专利范围第1项所述半导体晶片端子,其中 该卸压槽系可填充矽胶。 3.如申请专利范围第1项所述半导体晶片端子,其中 该卸压槽系可为一空间。 4.如申请专利范围第1项所述半导体晶片端子,其中 该缓冲部系为一螺旋状结构。 图式简单说明: 第1图,系本发明之外观立体示意图 第2图,系本发明之侧视断面图
地址 新竹县芎林乡福昌街680号1楼