| 主权项 |
1.一种具多层保护层的有机半导体元件,包括有: 一有机薄膜电晶体; 一第一保护层,系以气相沉积方式形成于该有机薄 膜电晶体上;及 一第二保护层,形成于该第一保护层上。 2.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该有机薄膜电晶体系选自下接 触式(bottom contact)、上接触式(top contact)、下闸极( bottom gate)与上闸极(top gate)之有机薄膜电晶体之群 组组合。 3.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该有机薄膜电晶体系选自N型 金氧半场效电晶体(NMOS)、P型金氧半场效电晶体( PMOS)与互补式金氧半场效电晶体(CMOS)之群组组合 。 4.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第二保护层系以溶液制程来 形成。 5.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该溶液制程系选自旋转涂布( spin coating)、网印(screen printing)、喷墨印刷(inject printing)与无旋转涂布(spinless coating)之群组组合。 6.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第二保护层系以气相沉积方 式来形成。 7.如申请专利范围第6项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第二保护层与该第一保护层 为不同材料。 8.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第一保护层系为无机材料。 9.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第一保护层系为有机材料。 10.如申请专利范围第9项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该有机材料系选自聚对二甲苯 -N(parylene-N)、聚对二甲苯-C(parylene-C)与聚对二甲苯 -D(parylene-D)之群组组合。 11.如申请专利范围第9项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第二保护层系为无机材料。 12.如申请专利范围第11项所述之具多层保护层的 有机半导体元件,其中该第一保护层与该第二保护 层之数量系为复数个,且各该第一保护层与各该第 二保护层系以交互重叠的方式形成。 13.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该气相沉积方式系选自化学气 相沉积(CVD)、有机气相沉积(OVPD)、共蒸镀之群组 组合。 14.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第二保护层系为聚乙烯苯酚 (Poly Vinyl Phenol, PVP)。 15.如申请专利范围第1项所述之具多层保护层的有 机半导体元件,其中该第二保护层系为有机材料。 16.一种具多层保护层的有机半导体元件之制作方 法,其步骤包含: 提供一有机薄膜电晶体; 以气相沉积方式,形成一第一保护层于该有机薄膜 电晶体上;及 形成一第二保护层于该第一保护层上。 17.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该有机薄膜电晶 体系选自下接触式(bottom contact)、上接触式(top contact)、底闸极(bottom gate)与顶闸极(top gate)之有机 薄膜电晶体之群组组合。 18.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该有机薄膜电晶 体系选自N型金氧半场效电晶体(NMOS)、P型金氧半 场效电晶体(PMOS)与互补式金氧半场效电晶体(CMOS) 之群组组合。 19.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该形成该第二保 护层之步骤系利用溶液制程。 20.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该溶液制程系选 自旋转涂布(spin coating)、网印(screen printing)、喷墨 印刷(inject printing)与无旋转涂布(spinless coating)之 群组组合。 21.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该形成该第二保 护层之步骤系利用气相沉积方式。 22.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该第二保护层与 该第一保护层为不同材料。 23.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该第一保护层系 为无机材料。 24.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该第一保护层系 为有机材料。 25.如申请专利范围第24项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该有机材料系选 自聚对二甲苯-N(parylene-N)、聚对二甲苯-C(parylene-C) 与聚对二甲苯-D(parylene-D)之群组组合。 26.如申请专利范围第24项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该第二保护层系 为无机材料。 27.如申请专利范围第26项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该形成该第二保 护层之步骤后,更包括一以交互重叠的方式形成复 数个该第一保护层与复数个该第二保护层于该第 二保护层上。 28.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层约 有机半导体元件之制作方法,其中该气相沉积方式 系选自化学气相沉积(CVD)、有机气相沉积(OVPD)、 共蒸镀之群组组合。 29.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该第二保护层系 为聚乙烯苯酚(Poly Vinyl Phenol, PVP)。 30.如申请专利范围第16项所述之具多层保护层的 有机半导体元件之制作方法,其中该第二保护层系 为有机材料。 图式简单说明: 第1图,系本发明之具多层保护层的有机半导体元 件之制作方法之流程图; 第2A图~第2C图,系本发明之第一实施例之具多层保 护层的有机半导体元件之制作流程之剖面图; 第3A图~第3C图,系分别为本发明之第一实施例之制 程前、后以及于完成制程后之有机薄膜电晶体之 通道上滴上扭转向列型液晶后之有机半导体元件 的ID-VD特性曲线图; 第4A图~第4C图,系分别为本发明之第一实施例之制 程前、后以及于完成制程后之有机薄膜电晶体之 通道上滴上扭转向列型液晶后之有机半导体元件 的ID-VG特性曲线图;及 第5A图~第5D图,系分别为本发明之第二实施例之制 程前、制程后、于完成制程后之有机薄膜电晶体 之通道上滴上扭转向列型液晶后以及滴上液晶后 并于大气下置放五天后之有机半导体元件的ID-VD 特性曲线图。 |
