发明名称 Halbleitervorrichtung mit einer Durchgangselektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Während ein flüsssiges Isoliermaterial (5b) auf einem konvexen Substrat aufgebracht ist und ein flüssiges Isoliermaterial (5a) auf einem konkaven Substrat aufgebracht ist, wird ein säulenförmiger Leitabschnitt (8) des konvexen Substrats in ein Loch (13) des konkaven Substrats eingeführt. Dabei werden ein Leitabschnitt (7) und eine interne Verbindung (4) elektrisch über einen Kontakthöcker (6) miteinander verbunden. Somit werden eine Halbleitervorrichtung mit einer Durchgangselektrode, die eine Größenverringerung ermöglicht, hohe Zuverlässigkeit aufweist und auch bei einem großen Seitenverhältnis leicht gebildet wird, sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung gewonnen.
申请公布号 DE102005025452(A1) 申请公布日期 2006.05.11
申请号 DE20051025452 申请日期 2005.06.02
申请人 RENESAS TECHNOLOGY CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 NEMOTO, YOSHIHIKO
分类号 H01L23/482;H01L21/60;H01L25/07 主分类号 H01L23/482
代理机构 代理人
主权项
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