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发明名称 method of manufacturing a thin layer using atomic layer deposition, and method of manufacturing a gate structure and a capacitor using the same
摘要
申请公布号 KR100578819(B1) 申请公布日期 2006.05.11
申请号 KR20040055057 申请日期 2004.07.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L21/336;H01L21/8242 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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