发明名称 | 复合式单边埋入导电带之结构与制作方法 | ||
摘要 | 本发明系关于一种复合式单边埋入导电带结构,其系设于一基底之一深沟渠中,并电连接深沟渠内之一沟渠电容。本发明之复合式单边埋入导电带结构包含有一由一单边埋入导电带与一金属插塞所构成之复合式单边埋入导电带,以及一绝缘氧化层,设于深沟渠中并覆盖复合式单边埋入导电带与沟渠电容。 | ||
申请公布号 | TW200618164 | 申请公布日期 | 2006.06.01 |
申请号 | TW093136778 | 申请日期 | 2004.11.29 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄承智 |
分类号 | H01L21/74 | 主分类号 | H01L21/74 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |