发明名称 | 量子点红外线侦测器 | ||
摘要 | 一种量子点红外线侦测器包括有一半导体基板;一缓冲层,形成于半导体基板之上;一未掺杂之第一阻挡层,形成于缓冲层之上;一第一量子点结构层,形成于第一阻挡层之上;一高掺杂(heavily doped)之第一接触层。形成于第一量子点结构层之上;一第二量子点结构层,形成于第一接触层之上;一未掺杂之第二阻挡层,形成于第二量子点结构层之上;以及一掺杂之第二接触层,形成于第二量子点结构层之上。在另一实施例中,第一阻挡层与第二阻挡层可选择性地形成。本发明所揭露之量子点红外线侦测器可以增加光电流并抑制暗电流,使得其侦测度提高,并提高操作温度。 | ||
申请公布号 | TW200623203 | 申请公布日期 | 2006.07.01 |
申请号 | TW093141218 | 申请日期 | 2004.12.29 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 林时彦;祁锦云;周淑婷;蔡承轩 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 许世正 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |