发明名称 具多模测试之系统晶片及其测试方法
摘要 一种具多模测试之系统晶片及其测试方法,系根据不同的测试目的以及系统晶片面积大小与测试时间长短为考量,所设计出来之系统晶片及多模测试方法,利用一测试模式控制单元来选择所需之测试模式,以及利用一多工器之多路传输功能来控制测试程式之来源,来节省系统晶片面积及缩短测试时间,以达成降低生产成本的目的。
申请公布号 TWI298795 申请公布日期 2008.07.11
申请号 TW095108295 申请日期 2006.03.10
申请人 盛群半导体股份有限公司 发明人 余国成;许文琪;郭淑华;蔡荣垚;林汉宗
分类号 G01R31/3181(200601AFI20080429VHTW) 主分类号 G01R31/3181(200601AFI20080429VHTW)
代理机构 代理人 王云平 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;谢宗颖 台北市大安区敦化南路2段71号18楼
主权项 1.一种具多模测试之系统晶片之测试方法,其方法 步骤包含: 输入一第一控制讯号至该系统晶片内之一测试模 式控制单元,以决定一存活测试模式,并输出一第 二控制讯号至一多工器,以控制该多工器作多路传 输的动作,及输出一第三控制讯号至一内部电路单 元,以抑制该内部电路单元输出一内部电路讯号; 根据该第二控制讯号,经由多路传输来撷取一测试 程式; 根据该存活测试程式,执行测试动作,读取该系统 晶片内之一内部暂存器之一暂存値,以作为一第一 输出讯号; 传输该第一输出讯号至一通用输入/输出单元,且 该通用输入/输出单元连结至一测试机台;以及 该测试机台比对该第一输出讯号。 2.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该系 统晶片内之一记忆存取单元中撷取出来,系为一内 部测试程式。 3.如申请专利范围第2项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,该记忆存取单元包含一第一记 忆装置及一第二记忆装置。 4.如申请专利范围第3项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该第一记忆装置为一唯读 记忆体。 5.如申请专利范围第3项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该第二记忆装置系为一随 机存取记忆体。 6.如申请专利范围第3项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该第二记忆装置系用以储 存该系统晶片内之一中央处理单元运作所产生之 一运作资料。 7.如申请专利范围第3项所述之具多模测试之系统 晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该第一 记忆装置中撷取出来。 8.如申请专利范围第2项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中根据该存活测试程式,撷 取由该通用输入/输出单元所输入之一第二输入讯 号,以更进一步地提供该第一输出讯号。 9.如申请专利范围第8项所述之具有多模测试之系 统晶片的之测试方法,其中该第二输入讯号可以系 一内部暂存器位址、该暂存値或一控制该内部测 试程式执行流程的参数。 10.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该系 统晶片外部所撷取出来,系为一外部测试程式。 11.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该测试机台利用一期望値 来比对该第一输出讯号。 12.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该内部电路讯号系该内部 电路单元内之一连续讯号。 13.如申请专利范围第11项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该连续讯号可以系一时 脉讯号或一电路讯号。 14.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该测试机台系在执行存活 测试程式的过程中不断地比对该第一输出讯号。 15.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该系 统晶片内之一中央处理单元来执行。 16.如申请专利范围第1项所述之具有多模测试之系 统晶片之测试方法,其中执行该存活测试程式系透 过该系统晶片内之一滙流排来进行传输工作。 17.一种具多模测试之系统晶片之测试方法,其方法 步骤包含: 输入一第一控制讯号至该系统晶片内之一测试模 式控制单元,以决定一测试模式,并输出一第二控 制讯号至一多工器,以进行多路传输的动作,及输 出一第三控制讯号至一内部电路单元; 根据该第二控制讯号,经由多路传输来撷取一存活 测试程式; 根据该存活测试程式,执行测试动作,读取该内部 电路单元内之一内部电路讯号; 传输该内部电路讯号至该系统晶片所连结之一测 试机台;以及 该测试机台比对并量测该内部电路讯号。 18.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该 系统晶片内之一记忆存取单元中撷取出来,系为一 内部测试程式。 19.如申请专利范围第18项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,该记忆存取单元包含一第一 记忆装置及一第二记忆装置。 20.如申请专利范围第19项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该第一记忆装置为一唯 读记忆体。 21.如申请专利范围第19项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该第二记忆装置系为一 随机存取记忆体。 22.如申请专利范围第19项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该第二记忆装置系用以 储存该系统晶片内之一中央处理单元运作所产生 之一运作资料。 23.如申请专利范围第19项所述之具多模测试之系 统晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该第 一记忆装置中撷取出来。 24.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中根据该存活测试程式, 读取一内部暂存器之一暂存値,以作为一第一输出 讯号。 25.如申请专利范围第24项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,该第一输出讯号系由该系统 晶片内之一通用输入/输出端所输出。 26.如申请专利范围第25项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,该通用输入/输出端包含一 第一通用输入/输出端及一第二通用输入/输出端 。 27.如申请专利范围第26项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,该第一输出讯号系由该第一 通用输入/输出端所输出。 28.如申请专利范围第24项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中根据该存活测试程式, 撷取由该系统晶片之一通用输入/输出单元所输入 之一第二输入讯号,以更进一步地提供该第一输出 讯号。 29.如申请专利范围第28项所述之具有多模测试之 系统晶片的之测试方法,其中该第二输入讯号系为 该内部暂存器位址、该暂存値或一控制该测试程 式执行流程的参数。 30.如申请专利范围第24项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,该系统晶片透过该通用输入 /输出端所连结之该测试机台,将该第一输出讯号 输出至该测试机台,以进一步地进行比对。 31.如申请专利范围第30项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,该测试机台利用一期望値来 比对该第一输出讯号。 32.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该存活测试程式系由该 系统晶片外部所撷取出来,系为一外部测试程式。 33.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该测试机台系利用一期 望値来比对或量测该内部电路讯号。 34.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该内部电路讯号系该内 部电路单元内之一连续讯号。 35.如申请专利范围第34项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该连续讯号可以系一时 脉讯号或一电路讯号。 36.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中该测试程式系由该系统 晶片内之一中央处理单元来执行。 37.如申请专利范围第17项所述之具有多模测试之 系统晶片之测试方法,其中执行该测试程式系透过 该系统晶片内之一滙流排来进行传输工作。 38.一种具多模测试之系统晶片,该系统晶片包含: 一测试模式控制单元; 一多工器,其连结于该测试模式控制单元,根据该 测试模式控制单元所输入之一第二控制讯号,来作 多路传输的工作,来选择一测试程式的来源; 一中央处理单元,其连结于该多工器,根据该多工 器所提供之该测试程式,来执行测试动作; 一记忆存取单元,其连结于该中央处理单元,用以 储存该中央处理单元运作所产生之一运作资料,及 提供该中央处理单元运作所需要之一系统资料; 一内部电路单元,其连结于该中央处理单元,根据 该测试模式控制单元所输入之一第三控制讯号,来 控制该内部电路单元内之一内部电路讯号之输出 动作,以提供一第二输出讯号,来作比对与量测之 用;以及 一通用输入/输出单元,其连结于该中央处理单元, 根据该中央处理单元之控制,输出一第一输出讯号 ,来作比对之用。 39.如申请专利范围第38项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该记忆存取单元进一步地包含一第一 记忆装置及一第二记忆装置。 40.如申请专利范围第39项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该第一记忆装置提供该测试程式,以 作为一内部测试程式,给该多工器作选择。 41.如申请专利范围第39项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该第一记忆装置系一唯读记忆体。 42.如申请专利范围第39项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该第二记忆装置储存该中央处理单元 运作所产生之运作资料。 43.如申请专利范围第39项所述之具有多模测试之 系统晶片,其中该第二记忆装置系为一随机存取记 忆体。 44.如申请专利范围第38项所述之具有多模测试之 系统晶片,其中该通用输入/输出单元进一步地包 含一第一通用输入/输出端及一第二通用输入/输 出端。 45.如申请专利范围第44项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该第一输出讯号透过该第一通用输入 /输出端来输出。 46.如申请专利范围第44项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该第二通用输入/输出端自该系统晶 片外部撷取一第二输入讯号至该中央处理单元,以 辅助该中央处理单元进行测试动作。 47.如申请专利范围第46项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该第二输入讯号可以系一内部暂存器 位址、该暂存値或一控制该内部测试程式执行流 程的参数。 48.如申请专利范围第38项所述之具多模测试之系 统晶片,其中该内部电路讯号可以系一时脉讯号或 一电路讯号。 49.如申请专利范围第38项所述之具有多模测试之 系统晶片,其中该存活测试程式系为一外部测试程 式,系由该系统晶片外部所撷取。 图式简单说明: 第一图系为本发明之具多模测试之系统晶片之示 意图; 第二图系为本发明第一实施例之内部测试模式之 流程图; 第三图系为本发明第二实施例之外部测试模式之 流程图; 第四图系为本发明第三实施例之混合测试模式之 流程图; 第五图系为本发明第四实施例之内部测试与观察 模式之流程图; 第六图系为本发明第五实施例之外部测试与观察 模式之流程图; 第七图系为本发明第六实施例之混合测试与观察 模式之流程图。
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