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发明名称
High-Voltage transistor with buried conduction layer and method of making the same
摘要
申请公布号
EP1227523(A3)
申请公布日期
2008.07.09
申请号
EP20020250483
申请日期
2002.01.24
申请人
POWER INTEGRATIONS, INC.
发明人
DISNEY, DONALD RAY
分类号
H01L21/8234;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/337;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/808
主分类号
H01L21/8234
代理机构
代理人
主权项
地址
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