发明名称 | 从液化气体溶液沉积材料 | ||
摘要 | 引入液化气体溶液以用于在半导体衬底上的材料沉积。衬底可以具有被溶液刻蚀至其中的沟槽,而所述溶液包含将要被沉积至沟槽中的材料的离子。在引入包含将要被沉积在阻挡层上的金属的离子的液化气体溶液之前,衬底可以在其表面上具有阻挡层。将要形成在衬底上的材料层可以是钽层、铜层或其他半导体加工构造。 | ||
申请公布号 | CN100401475C | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
申请号 | CN02813257.2 | 申请日期 | 2002.12.30 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 瓦莱丽·迪宾 |
分类号 | H01L21/208(2006.01);H01L21/288(2006.01);C25D3/02(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/208(2006.01) |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
主权项 | 1.一种方法,包括:提供衬底,所述衬底具有被刻蚀至其中的沟槽;以及将包含材料的离子的液化气体溶液引入至所述沟槽,以在所述沟槽内沉积所述材料。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |