| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique sur un substrat semiconducteur (1) comprenant les étapes suivantes : réaliser au moins une ouverture (3) dans le substrat (1) ; former dans le fond et sur les parois de l'ouverture (3) et sur le substrat (1) une succession alternée de couches d'un premier matériau (5, 9, 13) et d'un deuxième matériau (7, 11, 15), le deuxième matériau étant gravable sélectivement par rapport au premier matériau et au substrat (1) ; araser les portions de couches du premier matériau (5, 9, 13) et du deuxième matériau (7, 11, 15) qui ne sont pas situées dans ladite ouverture (3) ; graver une partie du premier matériau (5, 9, 13) pour obtenir des tranchées (17) ; et remplir les tranchées (17) d'au moins un troisième matériau (19, 21).
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