发明名称 蚀刻图案之形成方法及由该方法制造所得之半导体装置
摘要 藉由本发明之实施形态,可提供一种阻障图案之形成方法,其系于形成有被加工膜之半导体装置的基板上配置物镜,于物镜与基板之间形成液膜并进行曝光之液浸曝光者,其特征在于,将经至少包含拨水化剂与溶剂之拨水化剂药液处理的基板予以曝光。
申请公布号 TW200845128 申请公布日期 2008.11.16
申请号 TW097110930 申请日期 2008.03.27
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 石桥健夫;寺井护;萩原琢也;山口敦美
分类号 H01L21/027(2006.01) 主分类号 H01L21/027(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣
主权项
地址 日本
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