发明名称 电流镜电路
摘要 本发明设置一半导体装置,其能够藉由以多晶矽将形成电流镜电路之相邻MOS(金属氧化半导体)电晶体的闸极彼此直接连接,和藉由另外将连接到一基板之一保险丝连接到与多晶矽连接的闸极部位,而在半导体装置的生产期间,将电荷的作用均匀分配在形成电流镜电路之相邻MOS电晶体的各闸极上;及能够藉由散逸电荷到基板而降低作用。在微调处理期间切断保险丝。
申请公布号 TW200849807 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097106336 申请日期 2008.02.22
申请人 精工电子有限公司 发明人 南志昌
分类号 H03F3/343(2006.01);G05F3/26(2006.01) 主分类号 H03F3/343(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本