发明名称 记忆体阵列错误校正装置,系统及方法
摘要 本发明揭示各种具体实施例包含装置、方法及系统,其操作以扩充读取、修改及写入储存于或提供给一记忆体阵列之资料之程序,而不致中断待写入至该记忆体阵列中之资料的一连续流。具体实施例可包含:一装置,其包括一记忆体阵列;及一错误码模组,其耦合至该记忆体阵列并且具有一资料缓冲器,该资料缓冲器具有复数个资料丛发暂存器,其可操作以接收在对应复数个连续时脉循环待写入至该记忆体阵列之复数个资料丛发。该错误码模组系可操作以在一时间周期内对该复数个资料丛发之每一资料丛发执行一读取/修改/写入程序,该时间周期不长于该复数个连续时脉循环之二个连续循环的一周期。
申请公布号 TW200849000 申请公布日期 2008.12.16
申请号 TW097104981 申请日期 2008.02.12
申请人 美光科技公司 发明人 约翰F 施雷克;陶德A 达恩堡
分类号 G06F11/16(2006.01);G11C29/52(2006.01) 主分类号 G06F11/16(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国