发明名称 |
一种制备三元高介电常数栅介质材料的方法 |
摘要 |
本发明涉及制备高介电常数栅介质材料的方法,特别是指一种制备组分可调的新型三元高介电常数材料的方法。该方法,即:在半导体衬底上用溅射的方法生长三元高介电常数薄膜材料。包括步骤:a)选择硅(Si)、砷化镓(GaAs)和锑化镓(GaSb)作为半导体衬底;b)薄膜生长所用的方法是溅射法;c)在b)步中,制备时通过调整溅射系统中的靶距,或通过改变溅射功率来调整其中的氧化物含量,以得到所需的三元高介电常数薄膜材料;d)在c)步中,当钆距为6cm、钇距为7cm、钆的溅射功率为70W、钇的溅射功率为60W时,所制备的三元高介电常数材料性质最优,其中各氧化物成分为(Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)<SUB>0.98</SUB>(Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)<SUB>0.02</SUB>,介电常数可高达23,比Gd<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的介电常数高了40%,比Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的介电常数高了70%。本发明方法制备的产品与其它高介电常数材料相比,因混合了两种氧化物的优点而消除或降低了它们的缺点,使材料的性能达到最优。 |
申请公布号 |
CN100442458C |
申请公布日期 |
2008.12.10 |
申请号 |
CN200410009860.8 |
申请日期 |
2004.11.25 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
李艳丽;陈诺夫;刘立峰;尹志刚;杨菲;柴春林 |
分类号 |
H01L21/316(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/441(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/316(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1.一种制备三元高介电常数材料(Gd2O3)1-x(Y2O3)xO3的方法,其特征在于:选择半导体衬底,然后在衬底上用溅射的方法生长三元高介电常数薄膜材料(Gd2O3)1-x(Y2O3)xO3,其中,0<x<1。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |