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Ein Herstellungsverfahren einer selbstjustierenden Fin-FET-(FinFET-) Vorrichtung wird offenbart, bei dem eine Isolierschicht (18) einer flachen Grabenisolierung rückgeätzt wird, um die Seitenwände des Halbleitersubstrats (10), das von der flachen Grabenisolierung umgeben ist, teilweise freizulegen und die Seitenwände des Halbleitersubstrats (10) werden danach isotropisch geätzt, damit das Halbleitersubstrat (10) in einer relativ dünnen Fin-Struktur (16) ausgebildet werden kann, um eine dreidimensionale Gate-Struktur mit drei Flächen zu bilden.
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