形成自对准铜覆盖层的方法

摘要

一种在铜互连线(14)上形成覆盖层的方法。该方法包括在该互连线(14)和其所嵌入的电介质层(10)上提供铝层(20)。通过沉积或化学暴露可以实现这个目的。随后，在例如包括氮原子的环境中对该结构进行诸如退火或其他的化学暴露之类的处理，以导致Al的向内扩散进入铜线(14)并导致氮化，以便形成金属间化合物CuAlN的扩散阻挡层(26)。

主权项

1.一种方法，用以形成用于集成电路的互连层，该方法包括下列步骤：在电介质层中提供第一金属的互连线；在所述互连线的表面上提供第二金属的层；执行一种处理，以使得所述第二金属的原子向内扩散进入所述互连线邻近所述表面的部分中，并在所述向内扩散过程中，使所述互连线暴露于非金属物质的原子，以便在所述互连线邻近所述表面的所述部分中形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括一个化合物层，该化合物包括所述第一金属、所述第二金属以及所述非金属物质。