发明名称 | 一种自旋晶体管 | ||
摘要 | 本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的,它包括发射极层、基极层和集电极层,还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层,形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层,所述发射极层、基极层和集电极层采用金属性或半金属性材料。本发明克服了已有的自旋晶体管器件不易于操控、放大倍率低的不足,而且本发明是一种稳定工作于室温环境、具有抗辐射性的完全基于PN结工作原理的自旋晶体管。 | ||
申请公布号 | CN101315948A | 申请公布日期 | 2008.12.03 |
申请号 | CN200710099739.2 | 申请日期 | 2007.05.29 |
申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 刘东屏;温振超;瑞哈娜;莎麦拉;韩秀峰 |
分类号 | H01L29/66(2006.01) | 主分类号 | H01L29/66(2006.01) |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
主权项 | 1、一种自旋晶体管,包括发射极层、基极层和集电极层;其特征是,还包括:形成在所述发射极层和所述基极层之间的第一铁电体层,用于调节所述发射极层和所述基极层之间的空间电荷区的大小,形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层,用于调节所述基极层和所述集电极层之间的空间电荷区的大小,所述发射极层、所述基极层和所述集电极层采用金属性或半金属性材料。 | ||
地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 |