发明名称 在比超导温度T<SUB>c</SUB>高的温度下操作超导体的方法
摘要 一种在T<SUB>c</SUB><SUP>*</SUP>到T<SUB>c</SUB>的范围的温度T<SUB>c</SUB>(i)、在其超导态操作超导体的方法,其中T<SUB>c</SUB><SUP>*</SUP>大于所述超导体的超导温度T<SUB>c</SUB>,所述方法包含:冷却所述超导体到温度T<SUB>c</SUB>以下;在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体。所述能量对应于量子能量hv,其在小于E<SUB>0</SUB>的最小能量到小于E<SUB>0</SUB>的范围,其中E<SUB>0</SUB>为所述超导体的两维激励结合能基态。然后冷却所述超导体到所选择的温度T<SUB>c</SUB>(i)。所述最小能量为E<SUB>0</SUB>的8/9。
申请公布号 CN101317279A 申请公布日期 2008.12.03
申请号 CN200680041294.6 申请日期 2006.12.26
申请人 CZT股份有限公司 发明人 苏珊娜·柯拉托洛;王介惠
分类号 H01L39/24(2006.01) 主分类号 H01L39/24(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1.一种在Tc*到Tc的范围的温度Tc(i)、在其超导态操作超导体的方法,其中Tc*大于所述超导体的超导温度Tc,所述方法包含:冷却所述超导体到温度Tc以下;在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体,所述能量对应于量子能量hv,其在小于E0的最小能量到小于E0的范围,其中E0为所述超导体的两维激励结合能基态;以及冷却所述超导体到所选择的温度Tc(i)。
地址 美国堪萨斯州
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