发明名称 |
在比超导温度T<SUB>c</SUB>高的温度下操作超导体的方法 |
摘要 |
一种在T<SUB>c</SUB><SUP>*</SUP>到T<SUB>c</SUB>的范围的温度T<SUB>c</SUB>(i)、在其超导态操作超导体的方法,其中T<SUB>c</SUB><SUP>*</SUP>大于所述超导体的超导温度T<SUB>c</SUB>,所述方法包含:冷却所述超导体到温度T<SUB>c</SUB>以下;在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体。所述能量对应于量子能量hv,其在小于E<SUB>0</SUB>的最小能量到小于E<SUB>0</SUB>的范围,其中E<SUB>0</SUB>为所述超导体的两维激励结合能基态。然后冷却所述超导体到所选择的温度T<SUB>c</SUB>(i)。所述最小能量为E<SUB>0</SUB>的8/9。 |
申请公布号 |
CN101317279A |
申请公布日期 |
2008.12.03 |
申请号 |
CN200680041294.6 |
申请日期 |
2006.12.26 |
申请人 |
CZT股份有限公司 |
发明人 |
苏珊娜·柯拉托洛;王介惠 |
分类号 |
H01L39/24(2006.01) |
主分类号 |
H01L39/24(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种在Tc*到Tc的范围的温度Tc(i)、在其超导态操作超导体的方法,其中Tc*大于所述超导体的超导温度Tc,所述方法包含:冷却所述超导体到温度Tc以下;在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体,所述能量对应于量子能量hv,其在小于E0的最小能量到小于E0的范围,其中E0为所述超导体的两维激励结合能基态;以及冷却所述超导体到所选择的温度Tc(i)。 |
地址 |
美国堪萨斯州 |