位元线接触插塞的制造方法

摘要

本发明提供一种位元线接触插塞的制造方法，包括：提供一基底，依序形成一闸极介电层、一闸极导电层、一闸极上盖层、及一罩幕层于该基底上；形成一图案化光阻层于该罩幕层上，该图案化光阻层具有一开口；利用该图案化光阻层做为遮罩，经由该开口蚀刻该罩幕层及部分之该闸极上盖层；移除该图案化光阻层；形成一间隙壁于该罩幕层及该闸极上盖层之侧壁；以该罩幕层及该间隙壁为遮罩，去除该闸极上盖层及闸极导电层，以形成复数个闸极叠层；去除该间隙壁，以形成复数个闸极结构，并且于相邻之该些闸极结构之间形成一上方具有扩大部之间隙；形成一介电层于该基底上，并填入该上方具有扩大部之间隙中；图案化该介电层，以形成一位元线接触窗；以及形成一导电层于该位元线接触窗中，以形成位元线接触插塞。