| 发明名称 | 晶片清洗回收方法 | ||
| 摘要 | 一种晶片清洗回收方法，包括：预清洗晶片；对所述晶片执行氧化操作；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。本发明提供的晶片清洗回收方法，通过重复交替地对晶片进行清洗及氧化处理，逐步地扩大所述半导体衬底表面氧化层的范围，直至在半导体衬底表面完全形成氧化层；继而可通过去除所述氧化层，获得满足回收要求的半导体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101312111A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200710040971.9 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/67(2006.01);B09B3/00(2006.01);B08B3/08(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 1.一种晶片清洗回收方法，其特征在于，包括：预清洗晶片；对所述晶片执行氧化操作；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||