用于弱SRAM单元的检测装置和方法

摘要

一种检测存在弱缺陷的静态随机存取存储器(SRAM)阵列的方法和设备。首先将0/1比率写入到存储器阵列中(步骤100)，随后位线BL和BLB被预充电并等于阀值检测电压(步骤102)。为了考虑特定的单元标准和/或特性，阀值检测电压根据单元的0/1比率而被编程。随后，与阵列中的所有单元关联的字线被同时充分激活(步骤104)，然后将位线一起缩短(步骤106)，字线禁用(步骤108)并且释放位线(步骤110)。接下来的步骤中，读出SRAM阵列的内容并与原始的0/1比率进行比较(步骤112)。任何其内容与原始的0/1比率不匹配的单元(即，那些内容已经翻转的单元)被标记或识别为“弱”(步骤114)。

主权项

1、一种用于检测存在弱缺陷的静态随机存取存储器(SRAM)单元的设备，SRAM单元具有初始逻辑状态并包括了连接在两个位线(BL，BLB)之间并且连接到字线(WL)的触发电路，该设备包括：a)将至少一个所述位线(BL，BLB)预充电到预定电平的装置；b)激活所述字线(WL)的装置；和c)在激活所述字线(WL)之后，确定SRAM单元的逻辑状态以确定该逻辑状态是否从所述初始逻辑状态改变的装置；其特征在于该设备进一步包括用于基于特定的单元标准和特性来编程断路电压的装置；以及在所述字线(WL)被激活后并且在确定所述逻辑状态之前，将至少一个所述位线(BL，BLB)或与其成比例的节点电压驱动到所述断路电压的装置。