| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN100437907C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200410069654.6 | 申请日期 | 1993.12.04 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 张宏勇;鱼地秀贵;高山彻;福永健司;竹村保彦 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗朋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜；在包含氧的气氛中对包括硅的半导体膜进行结晶化；并且在包含氧的气氛中的结晶化步骤之后，在包含氢的气氛中对包括硅的半导体膜进行结晶化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||