| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 半导体装置包括熔片布线(3)、在该熔片布线(3)上介于绝缘膜(8B)的熔断部(1)、连接熔断部(1)和熔片布线(3)的插塞(7)。这里，位于熔断部(1)上的绝缘膜(8)的厚度(T1)小于位于熔片布线(3)上的绝缘膜(8)的厚度(T2)。位于熔片布线(3)上的绝缘膜(8)具有熔片布线(3)不因激光照射而熔断的充分的厚度(T2)。 | ||
| 申请公布号 | CN100438013C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200410063801.9 | 申请日期 | 2004.07.09 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 半治彦士;松井康浩 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L23/525(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 徐谦;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：熔片布线，在所述熔片布线的上方介于绝缘膜形成的熔片部，连接所述熔片布线和所述熔片部的连接部；所述熔片部和所述熔片布线同材质形成；在与所述熔片布线的延长方向垂直的断面中的所述熔片部的断面积小于在与所述熔片布线的延长方向垂直的断面中的该熔片布线的断面积。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||