| 发明名称 | 具有金属互连的半导体器件、制造方法及半导体集群设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括提供具有导电图案的半导体衬底和在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层。对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口。在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层。向预扩散阻挡层上提供氧原子以形成第一扩散阻挡层。在第一扩散阻挡层上形成金属层。金属层形成为填充由第一扩散阻挡层围绕的开口。本发明还提供通过该方法制造的半导体器件和用于制造该半导体器件的半导体集群设备。 | ||
| 申请公布号 | CN101312154A | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200810127762.2 | 申请日期 | 2008.01.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔庆寅;李贤培;崔吉铉;李钟鸣;洪琮沅 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有导电图案的半导体衬底；在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层；对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口；在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层；向预扩散阻挡层提供氧原子以形成第一扩散阻挡层；和在第一扩散阻挡层上形成金属层，其中，金属层形成为填充由第一扩散阻挡层围绕的该开口。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||