| 发明名称 | 采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，包括：一P型硅衬底；一N阱阱制作在P型衬底上的中间部位；一N+叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触制作在该N+叉指型扩散区上；一P+叉指型扩散区制作在N阱内；一第二金属接触制作在该P+叉指型扩散区上；一P+扩散区保护环制作在P型Si衬底上；一第三金属接触制作在该P+扩散区保护环上的一侧；一二氧化硅层覆盖在器件结构的整个上表面；一第四金属接触制作在该P+扩散区保护环上的另一侧；在该二氧化硅层的中间制作形成一发光窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN100438105C | 申请公布日期 | 2008.11.26 |
| 申请号 | CN200610011448.9 | 申请日期 | 2006.03.08 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈弘达;刘海军;黄北举 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管，其特征在于，包括：一P型硅衬底；一N阱，该N阱制作在P型硅衬底上的中间部位；一N+叉指型扩散区，该N+叉指型扩散区制作在N阱内；一第一金属接触，该第一金属接触制作在该N+叉指型扩散区上；一P+叉指型扩散区，该P+叉指型扩散区制作在N阱内；一第二金属接触，该第二金属接触制作在该P+叉指型扩散区上；一P+扩散区保护环，该P+扩散区保护环制作在P型硅衬底上；一第三金属接触，该第三金属接触制作在该P+扩散区保护环上的一侧；一二氧化硅层，该二氧化硅层覆盖在上述步骤所形成的器件结构的整个上表面；一第四金属接触，该第四金属接触制作在该P+扩散区保护环上的另一侧；在该二氧化硅层的中间制作形成一发光窗口。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||