| 发明名称 | 具有低接触电阻的半导体设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种具有低接触电阻的半导体设备及其制造方法。所述半导体设备包括：一衬底结构，其具有一接触孔以暴露其预定的部分；及一形成于该接触孔上的接触塞，其中所述接触塞具有填充于接触孔一部分中的外延硅层，及填充于接触孔其余部分中并形成于外延硅层上的金属层。用以制造该半导体设备的方法包括以下步骤：暴露一衬底结构的一部分，由此形成一接触孔；及在接触孔上顺序地形成一外延硅层及一金属层，从而获得接触塞。 | ||
| 申请公布号 | CN100435284C | 申请公布日期 | 2008.11.19 |
| 申请号 | CN200510002339.6 | 申请日期 | 2005.01.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 安台恒 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种半导体设备，包括：一衬底结构，其具有一接触孔以暴露其一预定的部分；及一在该接触孔上形成的接触塞，其中该接触塞具有填充于该接触孔一部分中的一外延硅层，及通过填充所述接触孔的剩余部分形成于该外延硅层上的一金属层，其中该外延硅层是一初始外延硅结构的一组成部分，该初始外延硅结构是通过在不伴随热处理的情况下执行固相外延方法获得的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||