| 摘要 |
通常被用于光学应用之半导体材料Ｐ型氮化镓(p-GaN)，在形成低阻值欧姆电接触件，以使电接触件对于发光装置而言为高度透明时，制造商系遭遇了限制。由于碳奈米管(CNT)结合了金属与半导电的特性，以及CNT织物具有高度光学透明度，因此碳奈米管可解决此问题。接触件系统的物理结构可被分解为三个部分：a)GaN、b)界面材料与c)金属导体。界面材料的角色在于与GaN及金属两者产生适当的接触，并因此使GaN能够与作为装置及外部电路之界面的金属导体产生良好的电接触。本发明提供的方法利用CNT与金属来制造与GaN之接触，并同时维持GaN表面之保护。 |
