半导体渐变矽层之电浆喷镀法和装置

摘要

一种设计用来喷涂半导体级矽以形成包括p-n接合区之半导体结构的电浆喷涂枪(10)，其包括多个诸如阴极(16)或阳极(20)之类的部件或其他面向电浆或携有矽粉末之具有至少多个由高纯度矽形成的表面部件。该些半导体掺质可包括在该喷涂矽中。