发明名称 |
降低加热电极与相变化材料层间接触面积之方法、相变化记忆装置及其制造方法 |
摘要 |
一种降低加热电极与相变化材料层间接触面积之方法,包括下列步骤:提供一第一介电层,其内埋设有一加热电极,该加热电极具有高出该第一介电层表面之一露出部,该加热电极具有一第一直径;施行一氧化程序,以于该加热电极所露出之该露出部之顶面与侧壁上形成一氧化物层,并缩减该露出部之一尺寸至一第二直径,该第二直径少于该第一直径;移除部分之该氧化物层,以露出该加热电极之该露出部之一顶面并于该突出部之一侧壁上留下一氧化物间隔物;以及形成一相变化材料层于该加热电极之该露出部上,该相变化材料层至少接触该露出部与该氧化物间隔物之顶面。 |
申请公布号 |
TW200845363 |
申请公布日期 |
2008.11.16 |
申请号 |
TW096115564 |
申请日期 |
2007.05.02 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
发明人 |
林永发;王德纯 |
分类号 |
H01L27/10(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 |