| 摘要 |
本发明系提供一种用于制造记忆装置之方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板包含：具有第一导电类型之第一井区、具有第一导电类型之第二井区、覆于该第一井区上之第一闸极结构以及覆于该第二井区上之第二闸极结构；共形地沉积绝缘材料层覆于该半导体基板之暴露部分上；在覆于该第二井区之一部分之该绝缘材料层之一部分上方提供感光材料；该感光材料暴露出部分之该绝缘材料层；该绝缘材料层之该暴露部分系被非等向性蚀刻以提供邻接该第二闸极结构之第一侧壁之侧壁间隔物（sidewall spacer），以及覆于该第二闸极结构之一部分上且邻接该第二闸极结构之第二侧壁所形成之绝缘间隔物区块；汲极区域及源极/基极区域系形成在该半导体基板中邻接该第一闸极结构，以及阴极区域系形成在该半导体基板中邻接该第二闸极结构；该汲极区域、该源极/基极区域以及阴极区域具有第二导电类型；第一导电类型的阳极区域系形成于该源极/基极区域中邻接该第二闸极结构。 |
