一种Sb<SUB>2</SUB>S<SUB>3</SUB>热电薄膜的制备方法

摘要

一种Sb₂S₃热电薄膜的制备方法，首先将氯化锑SbCl₃、硫脲SC(NH₂)₂分别溶解于蒸馏水中配制成氯化锑溶液，然后将SbCl₃和SC(NH₂)₂溶液混合制成生长溶液；再将耐热玻璃基板或硅基板基板在蒸馏水和无水乙醇中用超声波清洗干净后在真空干燥箱中烘干，并在紫外光下照射后用SC(NH₂)₂溶液中浸泡后取出自然晾干，在紫外光下再照射；将上述基板放置于生长溶液中沉积12-36小时后取出，于50-80℃下真空干燥；将经干燥后的基板在Ar气氛保护下于300-500℃热处理0.5-2小时，即可以获得Sb₂S₃薄膜。本发明在水溶液中仿生沉积Sb₂S₃薄膜，得到的Sb₂S₃薄膜性质稳定、表面平整、纯净，且基板表面可以为任意形状。

主权项

1、一种Sb2S3热电薄膜的制备方法，其特征在于：1)首先将氯化锑SbCl3溶解于蒸馏水中配制成0.1mol/L的氯化锑溶液，再用1mol/L的HCl溶液调节氯化锑溶液直到沉淀溶解；2)将硫脲SC(NH2)2溶解于蒸馏水中配制成0.1mol/L和0.02mol/L的两种硫脲溶液备用；3)按SbCl3∶SC(NH2)2＝2∶3的摩尔比配制SbCl3和SC(NH2)2 的混合溶液，配制时，先将0.1mol/L的硫脲溶液缓慢滴加到经HCl溶液调节后的0.1mol/L的氯化锑溶液中，并且加热搅拌，同时用1mol/L的HCl溶液调节至沉淀完全消失，即配成了所需的生长溶液；4)将耐热玻璃基板或硅基板在蒸馏水和无水乙醇中用超声波清洗干净后在真空干燥箱中烘干，并在紫外光下照射5-10min；5)再将基板浸渍于60℃的0.02mol/L的SC(NH2)2溶液中5-10min，然后取出基板自然晾干，在紫外光下再照射5-10min后，将基板放置于生长溶液中沉积12-36小时后取出，于50-80℃下真空干燥；6)将经干燥后的基板在Ar气氛保护下于300-500℃热处理0.5-2小时，即可以获得Sb2S3薄膜。