| 发明名称 | 用于电荷载流子迁移率改进的旋转剪切应力 | ||
| 摘要 | 采用具有被隔离沟槽环绕的有源区(11)台面结构的半导体衬底的半导体结构及其制造方法。具有第一应力的第一隔离区(12)位于隔离沟槽中。具有不同于第一应力的第二应力的第二隔离区(16a，16b)也位于隔离沟槽中。第一隔离区和第二隔离区的大小和位置使得能够向有源区台面结构施加旋转剪切应力。 | ||
| 申请公布号 | CN101300673A | 申请公布日期 | 2008.11.05 |
| 申请号 | CN200680041077.7 | 申请日期 | 2006.10.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | D·齐达姆巴劳 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有被隔离沟槽环绕的有源区台面结构；具有第一应力的至少一个第一隔离区，位于所述隔离沟槽中；以及具有不同于所述第一应力的第二应力的至少一个第二隔离区，也位于所述隔离沟槽中，其中所述第一隔离区和所述第二隔离区的大小和位置使得能够向所述有源区台面结构施加旋转剪切应力。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||