发明名称 具矽化次集极的双极电晶体
摘要 本发明之实施例提供一半导体装置,包含位于一主动区的一集极;一第一次集极和一第二次集极,第一次集极为一高度掺杂半导体材料,邻接于集极,而第二次集极则是一矽化次集极,相邻第一次集极;及一矽化延伸穿越(silicided reach-through)接触第二次集极,其中第一次集极、第二次集极及矽化延伸穿越提供一导电通路供主动区之集极收集电荷。本发明的实施例也提供制造此装置的方法。
申请公布号 TW200843101 申请公布日期 2008.11.01
申请号 TW097100116 申请日期 2008.01.02
申请人 万国商业机器公司 发明人 弗朗科斯 帕吉特;克里斯群 拉莫依;安娜 托波尔
分类号 H01L29/737(2006.01) 主分类号 H01L29/737(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国