记忆体结构及其制造方法

摘要

一种记忆体结构，包括基底、第一介电层、第一导体层、第二导体层、第二介电层、间隙壁及掺杂区。基底中具有沟渠。第一介电层配置于沟渠表面上。第一导体层配置于沟渠下部的第一介电层上。第二导体层配置于第一导体层上并填满沟渠。第二介电层配置于第一导体层与第二导体层之间。间隙壁配置于第一介电层与第二导体层之间。掺杂区配置于沟渠侧边的基底中。