| 发明名称 | 存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器装置的制造方法。首先，提供基底，形成介电层于基底上。其后，形成掺杂锡的相变化层于介电层上，形成图案化掩模层于掺杂锡的相变化层上。接下来，以图案化掩模层为掩模，并用以氟为基础且添加氯的蚀刻剂蚀刻掺杂锡的相变化层，以图案化掺杂锡的相变化层。然后，形成电极，电连接图案化的相变化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101295764A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200710102125.5 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈颐承 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储器装置的制造方法，包括：提供基底；形成介电层于该基底上；形成掺杂锡的相变化层于该介电层上；形成图案化掩模层于该掺杂锡的相变化层上；以该图案化掩模层为掩模，用以氟为基础且添加氯的蚀刻剂蚀刻该掺杂锡的相变化层，以图案化该掺杂锡的相变化层；及形成电极，电连接该图案化的相变化层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||