记忆装置及记忆体

摘要

本发明提供一种记忆体装置。该记忆体装置包括一记忆层及一固定磁化层。该记忆层依据一磁性材料之一磁化状态而留存资讯。该固定磁化层系透过由一绝缘材料所制成之一中间层而形成于该记忆层上。该资讯系运用藉由往一堆叠方向注入一自旋极化电子而造成之在该记忆层之一磁化方向中之一变更而记录在该记忆层上。该记忆层所接收之有效去磁场之一位准小于该记忆层之磁化之一饱和磁化位准。