| 发明名称 | 改善传输性能的金属导线结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明利用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)，将氮化钛(TiN)形成的薄膜沉积在该半导体铝铜合金导线的侧壁上，经过非等向反应性离子刻蚀(anisotropy RIE)后可以增加金属导线的传输性能，和增加金属信道边缘的覆盖性，此举不但可降低铝化铜金属导线的电阻值，还可有效地增加电子流。 | ||
| 申请公布号 | CN101286472A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
| 申请号 | CN200710039428.7 | 申请日期 | 2007.04.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 易万兵 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、 一种改善传输性能的金属导线制造方法，其特征在于包括以下步骤：提供一半导体基底，在该基底上已形成有MOS组件；在该半导体基底表面形成一金属导线，并在该金属导线上方先沉积有一第一钛/氮化钛层；利用一金属有机化学气相沉积法(MOCVD)，在该半导体基底和该第二钛/氮化钛层表面及侧壁上沉积一氮化钛薄膜层，并对该氮化钛薄膜层进行一脉冲式等离子处理，去除该氮化钛薄膜层中的杂质；以及用非等向反应性离子刻蚀，去除部分该半导体基底和该第二钛/氮化钛层表面的该氮化钛薄膜层，使剩余的该氮化钛间隙壁只位于该金属导线侧壁上，以作为一阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||