一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法

摘要

本发明涉及一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其为将氟硼铍酸铷/铯营养料15～300g放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度在黄金衬套中加入含有0～2.5mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值1.0～14.0；在营养料的上方放置一个开孔率为7～15％的黄金挡板，在黄金衬套的顶部悬挂籽晶；加热使得生长区平均温度为300～425℃，溶解区平均温度为380～500℃，压力P≤200MPa；经过10～90天，得到氟硼铍酸铷/铯单晶体。本发明工艺简单、成本低廉，可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高；得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体，更有利于应用。

主权项

1、一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其为在高压釜中，利用高温高压的纯水，或酸、碱、盐的溶液使得氟硼铍酸铷/铯溶解并再结晶生长单晶体的方法；其具体步骤包括：将氟硼铍酸铷/铯营养料15～300g放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度，在黄金衬套中加入含有0～2.5mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值在1.0～14.0之间；在营养料的上方放置一个开孔率为7～15％的黄金挡板，将溶解区和生长区隔开；在黄金衬套的顶部悬挂由熔盐法晶体生长所得加工而成c方向的氟硼铍酸铷/铯晶体作为籽晶；然后将黄金衬套密封，放入高压釜中，在高压釜和黄金衬套的夹层中加入一定量的去离子水或蒸馏水，使得在随后晶体生长时，黄金衬套内外压力平衡，不致于因为衬套内压力大于衬套外压力而破裂，也不致于因为衬套内压力小于衬套外压力而被压瘪；将高压釜用密封盖密封后，加热，使得生长区平均温度为300～425℃，溶解区平均温度为380～500℃，压力P≤200MPa；经过10～90天的恒温生长，即可得到氟硼铍酸铷/铯单晶体。