发明名称 |
一种半导体泵浦的腔内倍频激光器 |
摘要 |
本实用新型涉及一种半导体泵浦的腔内倍频激光器,其包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片,其中微片的一端面镀有激光腔膜层,另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片,采用以上结构,自己形成稳腔结构,不需要靠热透镜形成稳腔,因而调制上升沿较快,同时采用腔片与微片分立,可以根据需要调整腔长,可以应用于较高功率激光腔设计中,还保持了通常微片式激光器结构紧凑、体积小、成本低的特点,减少了调整环节。 |
申请公布号 |
CN201134609Y |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200720008219.1 |
申请日期 |
2007.09.14 |
申请人 |
福州高意通讯有限公司 |
发明人 |
陈卫民;吴砺;郑伟;杨建阳;黄有义;胡企铨 |
分类号 |
H01S3/08(2006.01);H01S3/109(2006.01);H01S3/16(2006.01) |
主分类号 |
H01S3/08(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种半导体泵浦的腔内倍频激光器,包括激光增益介质与倍频晶体胶合成微片或激光增益介质、倍频晶体与光学材料胶合成微片,其特征在于:其微片的一端面镀有激光腔膜层,另一端侧设有一片激光腔片或者微片的两端侧分别设有激光腔片。 |
地址 |
350014福建省福州市晋安区福兴大道39号福州1108信箱 |