发明名称 |
包含偶联的电介质层和金属层的半导体器件、其制造方法和用于偶联半导体器件中的电介质层和金属层的材料 |
摘要 |
一种钝化偶联材料,其一方面用于使半导体器件中的电介质层钝化,另一方面用于在随后的处理步骤中允许或至少促进在其上的液相金属沉积。在一个具体实例中,所述电介质层可以是具有适宜地降低的介电常数k的多孔材料,并且所述钝化偶联材料提供基本上阻挡将环境水分吸附并且吸入到所述多孔电介质层中的空间屏蔽基团。所述钝化偶联材料还提供与不存在所述钝化偶联材料的金属沉积相比,促进金属在其上以液相形式沉积的金属成核部位。使用液相金属沉积处理促进随后制造所述半导体器件。在一个实例中,所述钝化偶联材料在其化学组成中具有多个Si原子,从而适宜地增加所述材料的热稳定性。 |
申请公布号 |
CN101287777A |
申请公布日期 |
2008.10.15 |
申请号 |
CN200680031917.1 |
申请日期 |
2006.09.01 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
发明人 |
亚诺什·法尔卡斯;斯尔詹·科尔迪克;辛迪·戈德堡 |
分类号 |
C08G77/04(2006.01);C07F7/08(2006.01);C07F7/10(2006.01);C07F7/12(2006.01);C07F7/18(2006.01);C09C1/30(2006.01);C23C18/18(2006.01);C23C18/31(2006.01);C23C18/54(2006.01);H01L21/461(2006.01) |
主分类号 |
C08G77/04(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
陈瑞丰 |
主权项 |
1.一种用于使电介质材料钝化并且用于促进在这种钝化的电介质材料上的金属沉积的钝化偶联材料,其特征在于所述钝化偶联材料是根据下列通式的有机硅烷:<img file="A20068003191700021.GIF" wi="971" he="337" />其中:n是等于或大于1的整数;每一个Si为硅原子;X<sub>1</sub>是能够与所述电介质材料的表面羟基部位反应的官能团;Y<sub>1</sub>是下列的任一个:-X<sub>2</sub>,其是能够与所述电介质材料的表面羟基部位反应的另一个官能团,-H,即氢原子,或-R<sub>1</sub>,其是作为有机非极性基团或支链;Y<sub>2</sub>是下列的任一个:-X<sub>3</sub>,其是能够与所述电介质材料的表面羟基部位反应的另一个官能团,-H,即氢原子,或-R<sub>2</sub>,其是有机非极性基团或支链;作为桥联基团的B,其存在是任选的;Z<sub>1</sub>是下列的任一个:-R<sub>3</sub>,其是有机非极性基团或支链;-H,即氢原子,或-L<sub>1</sub>,其是具有电子给体功能的配体并且能够用作金属成核部位,Z<sub>2</sub>是下列的任一个:-R<sub>4</sub>,其是有机非极性基团或支链;-H,即氢原子,或-L<sub>2</sub>,其是具有电子给体功能的配体并且能够用作金属成核部位,并且L为能够用作金属成核部位的配体。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |