发明名称 | 在凸块下金属层上形成金属凸块的方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种形成金属凸块的方法,是在一芯片的主动表面形成一接垫,再在芯片的主动表面形成一保护层,并裸露出接垫,接着在芯片的主动表面形成一覆盖接垫的凸块下金属层。再在凸块下金属层上形成一图案化的光阻层,使其裸露出位在接垫上方的凸块下金属层,并在裸露的凸块下金属层区域上,先以电镀方式形成一层铜金属,再在铜金属层上以印刷的方式涂布一层锡膏。当锡膏涂布后,接着通过回焊制程以形成球状的金属凸块。最后将光阻层移除,并蚀刻掉金属凸块区域外的凸块下金属层。 | ||
申请公布号 | CN101286464A | 申请公布日期 | 2008.10.15 |
申请号 | CN200810099988.6 | 申请日期 | 2008.05.29 |
申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建汎;黄敏龙 |
分类号 | H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
主权项 | 1.一种形成金属凸块的方法,包含下列步骤:提供一芯片,该载板具有一主动表面;将一接垫配置在该芯片的该主动表面上;将一保护层覆盖在该芯片的该主动表面,并裸露出该接垫;在该保护层上形成覆盖该接垫的一凸块下金属层;形成一图案化的光阻层在该凸块下金属层上,并裸露出位在该接垫上方的该凸块下金属层;在裸露的凸块下金属层区域上方形成一金属层;在该金属层上涂布一层锡膏;通过回焊制程使该锡膏形成一金属凸块;移除该光阻层;及移除掉该金属凸块区域外的该凸块下金属层。 | ||
地址 | 台湾省高雄市楠梓加工出口区经三路26号 |