利用超临界溶剂在半导体基板上形成并沈积金属膜的组成物及方法

摘要

本发明揭露在半导体基板上沉积元素态金属M(0)膜的组成物及方法。所揭露的方法之一包含：加热半导体基板以获得热半导体基板；使该热半导体基板接触到含有金属前驱物、过量的中性不稳定配位基(neutral labile ligands)、以及超临界溶剂的组成物；在该热半导体基板或其附近，使该金属前驱物接触到还原剂及／或热能；藉着使用该还原剂及／或该热能，将该金属前驱物还原成元素态金属M(0)；并且沉积该元素态金属M(0)膜，同时尽量减少金属氧化物的形成。