半导体装置及其制造方法

摘要

提供可以低电压进行资料之写入与抹除的半导体装置及其制造方法。具备：Si层5，介由绝缘膜3形成于矽基板1上；Si层9，介由绝缘膜7形成于Si层5上；PMOS20，形成于Si层5之至少1个侧面；及NMOS30，形成于Si层9之至少1个侧面；PMOS20及NMOS30，系具有共通之控制闸极17及共通之浮态闸极13。共通之浮态闸极13，系自Si层5之侧面至Si层9之侧面被连续设置。依本发明，对共通之浮态闸极13之写入与抹除，可藉由电子与电洞之2种载子之供给而实现。