图案形成方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明之图案形成方法系包含：准备具有形成初期图案的矽之被处理体，该初期图案具有第1线宽；在电浆处理装置的处理室内电浆氧化处理该矽表面，于初期图案的表面形成氧化矽膜；及除去氧化矽膜，并且，藉由重复进行氧化矽膜的形成及氧化矽膜的除去，在被处理体上形成具有比上述第1线宽更微细的第2线宽之目的的图案。