发明名称 辐射发射装置及制造辐射发射装置之方法
摘要 一种辐射发射装置(1),包括:-一可透过辐射的基板(2),-一配置在该可透过辐射的基板(2)上的层序列,此层序列包括-至少一第一电极层(4),其具有第一接触层(7)以施加一种电压,-至少一功能层(5),其在操作时发出辐射,-至少一第二电极层(6)位在该功能层(5)上,该第二电极层(6)具有第二接触层(8)以施加一种电压,该功能层(5)配置在第一和第二电极层(4/6)之间,且第一电极层(4)具有至少一导电线路(3),其藉由电性上互相接触的导电微粒而形成。本发明亦涉及一辐射发射装置之制造方法,其包括以下的步骤:一种层序列配置在一基板(2)上,此时至少一导电线路(3)藉由一种压制过程(较佳是网版印刷过程)而施加在该基板(2)上。
申请公布号 TW200840112 申请公布日期 2008.10.01
申请号 TW097101483 申请日期 2008.01.15
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 亚历山大马德;瑞夫佩索德;薇蓓克莎弗特;克利斯朵夫嘉尔迪兹
分类号 H01L51/50(2006.01);H01L51/56(2006.01) 主分类号 H01L51/50(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;丁国隆
主权项
地址 德国